ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - ГОСТы ФР
Меню
Сфера
НАОТ
Велко
Новатика - обучение для СОТ

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов, и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.
Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора

Обозначение: ГОСТ 24613.8-83
Статус: действующий
Название рус.: Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции
Название англ.: Optoelectronic integrated microcircuits and optocouples. Methods for measuring of critical change rate of dielectric voltage
Дата актуализации текста: 06.04.2015
Дата актуализации описания: 10.08.2017
Дата издания: 09.09.1983
Дата введения в действие: 30.06.1984
Дата последнего изменения: 13.07.2017
Область и условия применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов, и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.
Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора
Список изменений: №0 от 28.06.1988 (рег. 27.06.1988) «Срок действия продлен»
Страниц: 6
Ссылки для скачивания: