
ГОСУДАРСТВЕННЫЙСТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯУСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТСОЮЗА ССР
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices | ГОСТ 2.730-73 |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правилапостроения условных графических обозначений полупроводниковых приборов насхемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отрасляхпромышленности.
(Измененная редакция, Изм. №3).
2. Обозначения элементовполупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
2. Электроды: |
|
база с одним выводом |  |
база с двумя выводами |  |
Р-эмиттер с N-областью |  |
N-эмиттер с Р-областью |  |
несколько Р-эмиттеров с N -областью |  |
несколько N -эмиттеров с Р-областью |  |
коллектор с базой |  |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |  |
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |  |
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |  |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |  |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |  |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |  |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |  |
обедненного типа |  |
5. Переход PN |  |
6. Переход NP |  |
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |  |
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |  |
9. Затвор изолированный |  |
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |  |
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически, не соединенные с корпусом |  |
электрически соединенные с корпусом |  |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |  |
(Измененная редакция, Изм. №2, 3).
3, 4. (Исключены,Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физическиесвойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный |
|
а) прямой |  |
б) обращенный |  |
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |  |
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |  |
9. Эффект Шоттки |  |
6. Примеры построенияобозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод |
|
Общее обозначение |  |
2. Диод туннельный |  |
3. Диод обращенный |  |
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
а) односторонний |  |
б) двухсторонний |  |
5. Диод теплоэлектрический |  |
6. Варикап (диод емкостный) |  |
7. Диод двунаправленный |  |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |  |
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |  |
9. Диод Шотки |  |
10. Диод светоизлучающий |  |
7. Обозначениятиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |  |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |  |
3. Тиристор диодный симметричный |  |
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |  |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |  |
по катоду |  |
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |  |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |  |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |  |
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
общее обозначение |  |
с управлением по аноду |  |
с управлением по катоду |  |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак |  |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |  |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлениемпо аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построенияобозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор а) типа PNP |  |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |  |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |  |
3. Транзистор лавинный типа NPN |  |
4. Транзистор однопереходный с N-базой |  |
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |  |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |  |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |  |
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |  |
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |  |
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,  б) изображать корпус транзистора. |
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N |  |
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |  |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: | |
а) обогащенного типа с Р-каналом |  |
б) обогащенного типа с N-каналом |  |
в) обедненного типа с Р-каналом |  |
г) обедненного типа с N-каналом |  |
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |  |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |  |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |  |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |  |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |  |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примерыпостроений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборовприведены в табл.9.
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |  |
б) дифференциальный |  |
2. Фотодиод |  |
З. Фототиристор |  |
4. Фототранзистор: |
|
а) типа PNP |  |
б) типа NPN |  |
5. Фотоэлемент |  |
6. Фотобатарея |  |
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный |  |
2. Оптрон тиристорный |  |
3. Оптрон резисторный |  |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
а) совмещенно |  |
б) разнесенно |  |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |  |
б) без вывода от базы |  |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знакамиоптического излучения и поглощения по ГОСТ2.721-74,
например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника иприемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковыхприборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла |  |
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
2. Резистор магниточувствительный |  |
3. Магнитный разветвитель |  |
13.Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |  |
а) развернутое изображение |
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |  |
Пример применения условного графического обозначения на схеме |  |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |  |
3. Диодная матрица (фрагмент) |  |
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |  |
14. Условные графическиеобозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощипечатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системыконструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод |  |  |
2. Транзистор типа PNР |  |  |
3. Транзистор типа NPN |  |  |
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |  |  |
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |   |   |
Примечание к пп. 2-5.Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульнойсетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. №4).
Приложение 1. (Исключено,Изм. № 4).
Размеры(в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование | Обозначение |
1. Диод |  |
2.. Тиристор диодный |  |
3. Тиристор триодный |  |
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |  |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |  |
(Введено дополнительно, Изм.№ 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И.Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН ВДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета МинистровСССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г.,марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)