Стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
Обозначение: | ГОСТ 2.730-73* |
Название рус.: | ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые |
Статус: | действующий |
Заменяет собой: | ГОСТ 2.730-68 ГОСТ 2.747-68* «ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Размеры условных графических обозначений» (в части пп. 33 и 34 таблицы) |
Дата актуализации текста: | 01.10.2008 |
Дата добавления в базу: | 01.02.2009 |
Дата введения в действие: | 01.07.1974 |
Разработан: | Госстандарт СССР |
Утвержден: | Госстандарт СССР (16.08.1973) |
Опубликован: | Издательство стандартов № 1995<br>ИПК Издательство стандартов № 2002 |
ГОСУДАРСТВЕННЫЙСТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯУСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТСОЮЗА ССР
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design documentation. | ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правилапостроения условных графических обозначений полупроводниковых приборов насхемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отрасляхпромышленности.
(Измененная редакция, Изм. №3).
2. Обозначения элементовполупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Обозначение | |
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
2. Электроды: |
|
база с одним выводом | |
база с двумя выводами | |
Р-эмиттер с N-областью | |
N-эмиттер с Р-областью | |
несколько Р-эмиттеров с N -областью | |
несколько N -эмиттеров с Р-областью | |
коллектор с базой | |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | |
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот | |
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP | |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN | |
6. Переход NP | |
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип | |
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип | |
9. Затвор изолированный | |
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | |
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически, не соединенные с корпусом | |
электрически соединенные с корпусом | |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку | |
(Измененная редакция, Изм. №2, 3).
3, 4. (Исключены,Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физическиесвойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Обозначение | |
1. Эффект туннельный |
|
а) прямой | |
б) обращенный | |
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний | |
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). | |
9. Эффект Шоттки | |
6. Примеры построенияобозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Обозначение | |
1. Диод |
|
Общее обозначение | |
2. Диод туннельный | |
3. Диод обращенный | |
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
5. Диод теплоэлектрический | |
6. Варикап (диод емкостный) | |
7. Диод двунаправленный | |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | |
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | |
9. Диод Шотки | |
10. Диод светоизлучающий | |
7. Обозначениятиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Обозначение | |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | |
3. Тиристор диодный симметричный | |
4. Тиристор триодный. Общее обозначение | |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду | |
по катоду | |
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду | |
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
общее обозначение | |
с управлением по аноду | |
с управлением по катоду | |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак | |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении | |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлениемпо аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построенияобозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Обозначение | |
1. Транзистор а) типа PNP | |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана | |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом | |
3. Транзистор лавинный типа NPN | |
4. Транзистор однопереходный с N-базой | |
5. Транзистор однопереходный с Р-базой | |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN | |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области | |
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области | |
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN | |
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N | |
2. Транзистор полевой с каналом типа Р | |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
а) обогащенного типа с Р-каналом | |
б) обогащенного типа с N-каналом | |
в) обедненного типа с Р-каналом | |
г) обедненного типа с N-каналом | |
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки | |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом | |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки | |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки | |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки | |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примерыпостроений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборовприведены в табл.9.
Таблица 9
Обозначение | |
1. Фоторезистор: а) общее обозначение | |
б) дифференциальный | |
2. Фотодиод | |
З. Фототиристор | |
4. Фототранзистор: |
|
а) типа PNP | |
б) типа NPN | |
5. Фотоэлемент | |
6. Фотобатарея | |
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный | |
2. Оптрон тиристорный | |
3. Оптрон резисторный | |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
а) совмещенно | |
б) разнесенно | |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы | |
б) без вывода от базы | |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знакамиоптического излучения и поглощения по ГОСТ2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника иприемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковыхприборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Обозначение | |
1. Датчик Холла | |
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
2. Резистор магниточувствительный | |
3. Магнитный разветвитель | |
13.Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Обозначение | |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |
а) развернутое изображение | |
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. | |
Пример применения условного графического обозначения на схеме | |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема | |
3. Диодная матрица (фрагмент) | |
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов | |
14. Условные графическиеобозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощипечатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системыконструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Обозначение | Отпечатанное обозначение | |
1. Диод | | |
2. Транзистор типа PNР | | |
3. Транзистор типа NPN | | |
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области | | |
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN | | |
Примечание к пп. 2-5.Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульнойсетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. №4).
Приложение 1. (Исключено,Изм. № 4).
Наименование | Обозначение |
1. Диод | |
2.. Тиристор диодный | |
3. Тиристор триодный | |
4. Транзистор 5. Транзистор полевой | |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором | |
(Введено дополнительно, Изм.№ 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И.Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН ВДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета МинистровСССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г.,марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)