На главную
На главную
/ Библиотека

ГОСТ Р 8.716-2010 - Государственная система обеспечения единства измерений. Рефлектометры экстремального ультрафиолетового излучения для измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм. Методика измерений

ГОСТ Р 8.716-2010

Государственная система обеспечения единства измерений. Рефлектометры экстремального ультрафиолетового излучения для измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм. Методика измерений

Обозначение:ГОСТ Р 8.716-2010
Статус:действующий
Название рус.:Государственная система обеспечения единства измерений. Рефлектометры экстремального ультрафиолетового излучения для измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм. Методика измерений
Название англ.:State system for ensuring the uniformity of measurements. Reflectometers of the extreme ultraviolet radiation for measurements of the characteristics of multilayer nanostructures in the wavelength range 10 to 30 nm. Measurement procedure
Дата актуализации текста:01.08.2013
Дата актуализации описания:01.08.2013
Дата введения в действие:01.01.2012
Область и условия применения:Настоящий стандарт распространяется на средства измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм - рефлектометры экстремального вакуумного ультрафиолетового излучения, предназначенные для измерения коэффициентов зеркального и диффузного отражения, и устанавливает методику измерений коэффициентов зеркального и диффузного отражения.
ЭУФ рефлектометры обеспечивают в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм измерение коэффициентов зеркального и диффузного отражения в диапазоне значений от 0,01 до 0,99.
В качестве источников непрерывного ЭУФ излучения используют электронные накопительные кольца. В качестве источников импульсного ЭУФ излучения используют открытые излучатели на основе капиллярного разряда с испаряющейся стенкой или плазменного фокуса, а также электронные синхротроны. В качестве приемников ЭУФ излучения используют солнечно-слепые фотодиоды на основе многослойных наноструктур


ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010
ГОСТ Р 8.716-2010