ГОСТ 20859.1-89 - Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

ГОСТ 20859.1-89

Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

Обозначение:ГОСТ 20859.1-89
Статус:действующий
Название рус.:Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Название англ.:Power semiconductor devices. General technical requirements
Дата актуализации текста:01.08.2013
Дата актуализации описания:01.08.2013
Дата введения в действие:01.01.1990
Область и условия применения:Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Взамен:ГОСТ 20859.1-79
Заменяющий в части:ГОСТ 30617-98 в части модулей


ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89




cons_1.jpg